绝对是一个大工程。
……
华光微电子年初率先完成了浸润式光刻机的相关实验。
几乎和苏翰说的一样。
只要在曝光区域和晶圆之间加上一层高纯度的去离子水。
那么当‘光’通过去离子水的时候会产生偏折，只要在这个时候微缩镜头，就可以将深紫外光的折射率进一步缩小。
从而突破现在一百八十纳米加工工艺的天花板。
本来华光微电子的研发团队之前还觉得苏翰的想法有点太过异想天开。
难道一层水就能突破三十年来困扰整个光刻机产业的壁垒？
但由于苏翰是华光微电子的大客户。
所以他们也只能按照苏翰的设计进行实验。
最后打脸的是苏翰是对的。
实验数据真的突破了一百八十纳米的壁垒。
而且经过多重曝光。
居然达到了惊人的六十五纳米。
华光微电子的高层第一时间就把这个好消息通知了苏翰。
苏翰自然没什么好奇怪的。
在极紫外光技术没有获得突破之前，以前的地球就是用这种方法制造出更高精度的光刻机的。
所以成功不奇怪。
不成功才奇怪呢。
当然和光源一起突破的，还有苏翰的离轴同轴双工作台。
有了双工作台的加持，到时候芯片产量也会大幅增加。
……
就在这个时候al公司也在进行浸没式光刻机的研发。
可以说已经到了成功的边缘。
只是让他们不知道的是，苏翰已经在全球各国注册了相关专利。
留给他们的只是一场空欢喜而已。
……
a公司这边抢先一步发布了自己的全新芯片：alngii。
该芯片同样采用类似苏翰的叠加技术，但经过了多重曝光以后，加工工艺达到了一百三十纳米。
虽然还是双核心，但晶体管的数量，达到了两亿，已经是华龙h3的一倍以上。
经过测试各项性能全面超越华龙h3。
alngii成为市场上的新王者。
虽然多重曝光会降低良品率，但通过叠加技术，良品率还在能接受的范围。
不过成为旗舰芯片的好处可就太多了。
起码在售价上可以把华龙h3挤走。
独揽高端市场。